مقاله ترجمه شده انگلیسی به فارسی

عنوان انگلیسی:

Function of the parasitic bipolar transistor in the 40 nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect

عنوان فارسی:

کارکردترانزیستور دو قطبی پارازیتی در ابزار 40 nm PD SOI NMOS با در نظر گرفن تأثیر جسم شناور

چکیده

این مقاله، کارکرد وسیله دو قطبی پارازیتی را در ابزار 40 nm PD SOI NMOS با تأثیر جسم شناور گزارش می کند. با استفاده از یک روش استخراج یکپارچه، کارکرد ابزار دو قطبی پارازیتی در طول DC و عملیات فراگذری می تواند مدل سازی شود. در طول گذر به ابزار تأکید بر ولتاژ مرحله ای از 0V تا 2V در دریچه، افزایش آهسته تر زمان، یک روشنی نسبتاً سریعی را در جریان تخلیه به دلیل کارکرد قوی تر ابزار دو قطبی پارازیتی از جریان های کوچکتر جایگزینی از طریق اکسید دریچه نشان می دهد که در دریچه فعلی منعکس می شود و به وسیله نتیجه ارزیابی شده به لحاظ آزمایشگاهی تغییر می یابد.

تعداد صفحات انگلیسی: 5

تعداد صفحات فارسی: 9

سال مقاله: 2012

فرمت فایل: PDF انگلیسی+ WORD فارسی